Root reinforcement of soils under compression

It is well recognized that roots reinforce soils and that the distribution of roots within vegetated hillslopes strongly influences the spatial distribution of soil strength. Previous studies have focussed on the contribution of root reinforcement under conditions of tension or shear. However, no systematic investigation into the contribution of root reinforcement to soils experiencing compression, such as the passive Earth forces at the toe of a landslide, is found in the literature. An empirical-analytical model (CoRoS) for the quantification of root reinforcement in soils under compression is presented and tested against experimental data. The CoRoS model describes the force-displacement behavior of compressed, rooted soils and can be used to provide a framework for improving slope stability calculations. Laboratory results showed that the presence of 10 roots with diameters ranging from 6 to 28 mm in a rectangular soil profile 0.72 m by 0.25 m increased the compressive strength of the soil by about 40% (2.5 kN) at a displacement of 0.05 m, while the apparent stiffness of the rooted soil was 38% higher than for root-free soil. The CoRoS model yields good agreement with experimentally determined values of maximum reinforcement force and compression force as a function of displacement. These results indicate that root reinforcement under compression has a major influence on the mechanical behavior of soil and that the force-displacement behavior of roots should be included in analysis of the compressive regimes that commonly are present in the toe of landslides

Hybrid HBT oscillator and mixer

The HBT presents inherent low 1/f noise characteristic, which makes HBT a very promising candidate, compared to GaAs MESFET or Silicon BJT, for these high frequency low phase noise applications [1,2,3]. In this paper, the preliminary measured results on the conversion factor of low frequency noise to the phase noise of HBT oscillator will be presented, together with the first results of our HBT mixer

Compact ECL gate design for double mesa HBT process

Emitter Coupled Logic (ECL) gate is a good candidate for gigabit logic when one uses GaAs/GaAlAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT). With the double mesa process, intercon­nections between the 5 transistors of the elemental gate have to climb the emitter and base mesas, leading to lack of density. A more compact design of the ECL gate has been achieved, in which the transistors are directly connected on the top of the base mesa. The DC characteristics of this gate are similar to these obtained with conventional gate design and the surface is reduced by a factor 1.6

SEMICONDUCTOR DEVICE MODELLING FOR HETEROJUNCTIONS STRUCTURES WITH MIXED FINITE ELEMENTS

International audienc

Technologie des circuits intégrés bil)olees a hétérojonction

The Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) is a very attractive component, which has a large range of well defined applications, from ultra-high speed logic to microwave circuits., The purpose of this paper is to present a review of the results published in the different areas, and to discuss technological problems which will be key points for further HBTs developments.Le transistor bipolaire à hétérojonction (TBH) est un composant très performant qui présente une grande diversité de domaines d'applications bien définis, que ce soit pour la logique ultra-rapide, les applications analogiques ou les circuits microondes. L'objectif de ce papier est de présenter une synthèse des résultats déjà publiés dans les différents domaines d'application et de discuter des problèmes technologiques spécifiques au TBH

Mesure et modélisation du courant de fuite de grille en excès des FET InGaAs

The excess gate leakage current in InGaAs JFET's has been attributed to impact ionization in the high field region of the channel. Actually this excess gate leakage current does also appear in heterostructure AlInAs/InGaAs FET. Accurate modelling based on a distributed approach confirms this impact ionization assumption and allows a computation of the electron ionization coefficient which has been found to be 30 cm-1 for an electric field of 4.5 × 10^4 V/cm with a channel doping of 2 × 10^16 cm-3.L'excès de courant de fuite de grille dans les JFET InGaAs a été attribué à l'ionisation par impact dans la région de champ électrique élevé dans le canal du transistor. Actuellement, cet excès de courant de fuite de grille apparaît également dans les FET à hétérostructures InAlAs/InGaAs. Une modélisation précise basée sur un modèle distribué confirme cette hypothèse d'ionisation par impact dans le canal et permet une évaluation du coefficient d'ionisation qui est de 30 cm-1 pour un champ électrique de 4,5 x 10^4 V/cm avec un dopage du canal de 2 × 10^16 cm-3

Phénomène de « quasi-saturation » dans les transistors M.O.S.

A new electrical behaviour of the M.O.S. transistor, associated with a low doping level in the drain region, is shown to take place. This is the result of a saturation effect of the drain current as a function of both the drain and the gate voltages. The corresponding physical phenomenon is called the quasi-saturation effect and is related to an injection of majority carriers into the drain. A simplified analysis is proposed in order to define the asymptotic-electrical-characteristics for the M.O.S. transistor.On met en évidence un nouveau type de comportement électrique du transistor M,O.S. à drain peu dopé, qui se traduit principalement par un effet de saturation du courant de drain, aussi bien en fonction de la tension de drain que de la tension de grille. Ce phénomène que nous appelons la quasi-saturation, est lié à un effet d'injection de porteurs majoritaires en excès dans le drain. Une analyse simplifiée est proposée pour définir les caractéristiques électriques asymptotiques du transistor M.O.S

Phénomène de « quasi-saturation » dans les transistors M.O.S.

On met en évidence un nouveau type de comportement électrique du transistor M,O.S. à drain peu dopé, qui se traduit principalement par un effet de saturation du courant de drain, aussi bien en fonction de la tension de drain que de la tension de grille. Ce phénomène que nous appelons la quasi-saturation, est lié à un effet d'injection de porteurs majoritaires en excès dans le drain. Une analyse simplifiée est proposée pour définir les caractéristiques électriques asymptotiques du transistor M.O.S

SUPREM: presentation et mode d'emploi

SIGLECNRS-CDST / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc